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2N6726

更新时间: 2024-11-23 22:35:55
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CENTRAL 晶体晶体管驱动放大器
页数 文件大小 规格书
1页 67K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR

2N6726 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-237AA
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.18
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-237AAJESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

2N6726 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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