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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.68 | 基于收集器的最大容量： | 10 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4000 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6725-J61Z | TI |
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50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2N6725LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, |
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| 2N6725M1TA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 STY |
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| 2N6725M1TC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 STY |
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| 2N6725PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N6725SM | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM |
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| 2N6725SMTA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM |
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| 2N6725SMTC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM |
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| 2N6725STOA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM |
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| 2N6725STOB | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM |
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