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2N6577

更新时间： 2024-01-23 20:31:38

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	112K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6577 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最大降落时间（tf）：	7000 ns
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大上升时间（tr）：	1000 ns
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
最大关闭时间（toff）：	9000 ns	最大开启时间（吨）：	1150 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2N6577 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6576 2N6577 2N6578

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

2N6576

2N6577

2N6578

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=0.2A ;I_B=0

120

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_{BE sat-1}

V_{BE sat-2}

Collector-emitter saturation voltage I_C=10A; I_B=100mA

Collector-emitter saturation voltage I_C=15A ;I_B=150mA

2.8

4.0

3.5

4.5

Base-emitter saturation voltage

I_C=10A; I_B=100mA

I_C=15A ;I_B=150mA

V_CE=60V; I_B=0

V_CE=90V; I_B=0

V_CE=120V; I_B=0

V_CB=60V; I_E=0

V_CB=90V; I_E=0

V_CB=120V; I_E=0

V_EB=7V; I_C=0

2N6576

I_CEO

Collector cut-off current

1.0

2N6577

2N6578

2N6576

2N6577

2N6578

I_CBO

0.5

7.5

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

h_FE-4

V_F

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=0.4A ; V_CE=3V

I_C=4A ; V_CE=3V

I_C=10A ; V_CE=3V

I_C=15A ; V_CE=4V

I_F=15A

200

2000

500

DC current gain

20000

5000

DC current gain

100

Diode forward voltage

4.5

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

1.46

UNIT

ꢀ/W

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

123

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