生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.65 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 15 A |
集电极-发射极最大电压: | 120 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | 最大降落时间(tf): | 7000 ns |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 最大上升时间(tr): | 1000 ns |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 10 MHz |
最大关闭时间(toff): | 9000 ns | 最大开启时间(吨): | 1150 ns |
VCEsat-Max: | 1 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6578LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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2N6579 | NJSEMI | SI NPN POWER BJT |
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2N6579 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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2N657A | NJSEMI | BJT |
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2N657C | NJSEMI | BJT |
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2N657S | NJSEMI | BJT |
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