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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6580E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6581 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N6581 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 450V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N6582 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6583 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N6583E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6584 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6584E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6585 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, I |
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| 2N6586 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, I |
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