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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最大降落时间（tf）： | 7000 ns |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大上升时间（tr）： | 1000 ns |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 9000 ns | 最大开启时间（吨）： | 1150 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6578LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6579 | NJSEMI | SI NPN POWER BJT |
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| 2N6579 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N657A | NJSEMI | BJT |
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| 2N657C | NJSEMI | BJT |
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| 2N657S | NJSEMI | BJT |
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