2N6555

更新时间： 2024-01-07 17:03:31

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Power Transistors

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2N6555 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.91
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

2N6555 数据手册

Power Transistors

TO-202 Case

TYPE NO.

@ I

CBO

CEO

CE(SAT)

(V)

(A)

(W)

(V)

(mA)

(A)

(MHz)

NPN

PNP

MAX

2.0

1.0

MIN

MAX

2.0

1.0

0.7

0.5

1.5

MIN

100

2N6548

2N6549

2N6551

2N6552

2N6553

2.0

25,000 150,000 200

15,000 150,000 200

2.0

2N6554

2N6555

2N6556

2.0

300

- -

1.0

2.0

1.0

2.0

100

1.0

CEN-U01A CEN-U51A 2.0

1.75

1000

500

1.0

CEN-U05 CEN-U55

CEN-U06 CEN-U56

CEN-U07 CEN-U57

CEN-U10 CEN-U60

2.0

0.5

- -

0.25

0.02

- -

100

300

100

300

- -

CEN-U45 CEN-U95

2.0

1.75

25,000 150,000 200

1.0

0.20

100

Shaded areas indicate Darlington.

TO-202 devices are available with sheared tab (Case: TO-202-2).

Add “N” suffix to part number.

TO-202-2 Case

www.centralsemi.com

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与2N6555相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6555LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/	获取价格
2N6555N	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-202VAR	获取价格
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2N6556	CENTRAL	Power Transistors	获取价格
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2N6556LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic	获取价格