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2N6555LEADFREE PDF预览

2N6555LEADFREE

更新时间： 2024-11-19 20:11:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 420K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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2N6555LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.27外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-202JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzBase Number Matches：1

2N6555LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N6555LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N6551 2N6552 2N6553  
2N6554 2N6555 2N6556  
NPN  
PNP  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6551, 2N6554  
series types are complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, designed  
for general purpose audio amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-202 CASE  
2N6551 2N6552 2N6553  
SYMBOL 2N6554 2N6555 2N6556  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
60  
80  
100  
CBO  
CEO  
EBO  
60  
80  
100  
V
V
5.0  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
1.0  
A
C
I
2.0  
A
CM  
I
0.1  
A
B
P
2.0  
W
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
10  
W
C
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
62.5  
12.5  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
2N6551  
2N6554  
MIN MAX  
2N6552  
2N6555  
MIN MAX  
2N6553  
2N6556  
MIN MAX  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=40V  
=60V  
=80V  
=4.0V  
-
100  
-
-
100  
-
-
-
nA  
CBO  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
EB  
-
-
-
-
-
-
nA  
nA  
nA  
V
-
-
-
-
100  
100  
-
-
100  
-
-
100  
-
BV  
BV  
BV  
l =100μA  
60  
60  
5.0  
-
80  
80  
5.0  
-
100  
100  
5.0  
-
CBO  
CEO  
EBO  
C
l =1.0mA  
-
-
-
V
C
l =100μA  
-
-
-
V
E
V
V
V
l =250mA, I =10mA  
0.5  
1.0  
1.2  
-
0.5  
1.0  
1.2  
-
0.5  
1.0  
1.2  
-
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
l =1.0A, I =100mA  
-
-
-
V
C
B
V
=5.0V, I =250mA  
-
-
-
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
h
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =10mA  
60  
60  
60  
C
=1.0V, I =50mA  
80 300  
80 300  
80 300  
FE  
C
=1.0V, I =250mA  
60  
25  
-
-
60  
25  
-
-
60  
25  
-
-
FE  
C
=1.0V, I =500mA  
FE  
C
f
=5.0V, l =100mA, f=20MHz  
75 375  
18  
75 375  
18  
75 375  
18  
MHz  
T
C
C
=20V, l =0, f=1.0MHz  
-
-
-
pF  
ob  
E
R1 (23-January 2012)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6555N ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-202VAR
2N6555PBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
2N6556 CENTRAL

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 		Power Transistors
2N6556 NJSEMI

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 		COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
2N6556LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic
2N6556N ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-202VAR
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