2N6517G

更新时间： 2024-01-04 00:41:23

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
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7页	122K
描述
High Voltage Transistors

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2N6517G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.06
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2N6517G 数据手册

NPN − 2N6515, 2N6517; PNP − 2N6520

1.0

0.7

0.5

D = 0.5

0.2

0.3

0.2

SINGLE PULSE

0.05

0.1

0.07

0.05

SINGLE PULSE

= r(t) • R

− T = P

(pk) JC(t)

JC(t)

J(pk)

0.03

0.02

− T = P

(pk) JA(t)

JA(t)

J(pk)

0.01

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

100

200

500

1.0ꢃk 2.0ꢃk

5.0ꢃk 10ꢃk

t, TIME (ms)

Figure 17. Thermal Response

500

FIGURE A

10 ms

100 ms

T = 25°C

200

100

1.0 ms

= 25°C

100 ms

CURRENT LIMIT

THERMAL LIMIT

5.0

ꢁ(PULSE CURVES @ T = 25°C)

SECOND BREAKDOWN LIMIT

2.0

1.0

0.5

2N6515

1/f

CURVES APPLY

BELOW RATED V

CEO

2N6517, 2N6520

DUTYꢃCYCLE + t ꢃf +

0.5 1.0 2.0

5.0

50 100 200

500

PEAK PULSE POWER = P

, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 18. Active Region Safe Operating Area

Design Note: Use of Transient Thermal

Resistance Data

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

2N6515RLRMG

TO−92

(Pb−Free)

2000 Ammo Pack

5000 Unit / Bulk

2000 Ammo Pack

2000 Tape & Reel

2N6517G

TO−92

(Pb−Free)

2N6517RLRPG

2N6520RLRAG

TO−92

(Pb−Free)

TO−92

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging

Specifications Brochure, BRD8011/D.

http://onsemi.com

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