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2N6517G

更新时间: 2024-01-30 22:02:00
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安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 122K
描述
High Voltage Transistors

2N6517G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.06
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2N6517G 数据手册

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NPN − 2N6515, 2N6517; PNP − 2N6520  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
250  
350  
C
B
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0 )  
V
V
Vdc  
Vdc  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
250  
350  
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
2N6515, 2N6517  
2N6520  
6.0  
5.0  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 150 Vdc, I = 0)  
I
I
nAdc  
nAdc  
CBO  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
50  
50  
CB  
E
(V = 250 Vdc, I = 0)  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
EBO  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
2N6515, 2N6517  
2N6520  
50  
50  
EB  
C
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
EB  
C
ON CHARACTERISTICS (Note 1)  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 1.0 mAdc, V = 10 Vdc)  
C
2N6515  
2N6517, 2N6520  
35  
20  
CE  
(I = 10 mAdc, V = 10 Vdc)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
50  
30  
C
CE  
(I = 30 mAdc, V = 10 Vdc)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
50  
30  
300  
200  
C
CE  
(I = 50 mAdc, V = 10 Vdc)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
45  
20  
220  
200  
C
CE  
(I = 100 mAdc, V = 10 Vdc)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
25  
15  
C
CE  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
0.30  
0.35  
0.50  
1.0  
C
B
(I = 20 mAdc, I = 2.0 mAdc)  
C
B
(I = 30 mAdc, I = 3.0 mAdc)  
C
B
(I = 50 mAdc, I = 5.0 mAdc)  
C
B
Base−Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
Vdc  
Vdc  
BE(sat)  
0.75  
0.85  
0.90  
C
B
(I = 20 mAdc, I = 2.0 mAdc)  
C
B
(I = 30 mAdc, I = 3.0 mAdc)  
C
B
Base−Emitter On Voltage  
(I = 100 mAdc, V = 10 Vdc)  
V
2.0  
BE(on)  
C
CE  
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current−Gain − Bandwidth Product (Note 1)  
f
40  
200  
6.0  
MHz  
pF  
T
(I = 10 mAdc, V = 20 Vdc, f = 20 MHz)  
C
CE  
Collector−Base Capacitance  
(V = 20 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
cb  
C
eb  
CB  
E
Emitter−Base Capacitance  
(V = 0.5 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
pF  
2N6515, 2N6517  
2N6520  
80  
100  
EB  
C
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn−On Time  
t
200  
3.5  
ms  
ms  
on  
(V = 100 Vdc, V  
CC  
= 2.0 Vdc, I = 50 mAdc, I = 10 mAdc)  
C B1  
BE(off)  
Turn−Off Time  
(V = 100 Vdc, I = 50 mAdc, I = I = 10 mAdc)  
t
off  
CC  
C
B1  
B2  
1. Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2.0%.  
http://onsemi.com  
2
 

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