2N6517G

更新时间： 2024-02-25 18:20:17

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
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7页	122K
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High Voltage Transistors

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2N6517G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.06
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2N6517G 数据手册

NPN − 2N6515, 2N6517; PNP − 2N6520

1.0ꢃk

700

1.0ꢃk

700

= 100 V

= −100 V

CE(off)

t @ V

= 2.0 V

BE(off)

500

I /I = 5.0

C B

I /I = 5.0

C B

t @ V

= 2.0 V

BE(off)

T = 25°C

300

200

300

200

100

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

−1.0

−ꢀ2.0 −ꢀ3.0 −ꢀ5.0 −ꢀ7.0 −10

−ꢀ20 −ꢀ30 −ꢀ50 −ꢀ70 −100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 12. Turn−On Time

NPN 2N6515, 2N6517

Figure 13. Turn−On Time

PNP 2N6520

10ꢃk

7.0ꢃk

5.0ꢃk

2.0ꢃk

1.0ꢃk

700

3.0ꢃk

2.0ꢃk

500

300

200

CE(off)

= −100 V

= 100 V

I /I = 5.0

C B

CE(off)

1.0ꢃk

700

I /I = 5.0

C B

= I

B1 B2

= I

B1 B2

T = 25°C

500

100

300

200

100

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

−1.0

−ꢀ2.0 −ꢀ3.0 −ꢀ5.0 −ꢀ7.0 −10

−ꢀ20 −ꢀ30

−ꢀ50 −ꢀ70 −100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 14. Turn−Off Time

NPN 2N6515, 2N6517

Figure 15. Turn−Off Time

PNP 2N6520

ADJUSTED

2.2 k

20 k

FOR V

= 100 V

CE(off)

+10.8 V

50 W SAMPLING SCOPE

1.0 k

1/2MSD7000

−9.2 V

PULSE WIDTH ≈ 100 ms

t , t ≤ 5.0 ns

DUTY CYCLE ≤ 1.0%

FOR PNP TEST CIRCUIT,

REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES

APPROXIMATELY

−1.35 V

(ADJUST FOR V

= 2.0 V)

(BE)off

Figure 16. Switching Time Test Circuit

http://onsemi.com

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