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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6487DW
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2N6487DW

更新时间： 2024-11-07 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6487DW 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.73Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5 MHz
Base Number Matches：1

2N6487DW 数据手册

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ON Semiconductor)  
NPN  
Complementary Silicon Plastic  
Power Transistors  
2N6487  
*
*
2N6488  
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching  
applications.  
PNP  
2N6490  
• DC Current Gain Specified to 15 Amperes —  
h
= 20–150 @ I = 5.0 Adc  
FE  
= 5.0 (Min) @ I = 15 Adc  
C
2N6491  
C
*ON Semiconductor Preferred Device  
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
= 60 Vdc (Min) – 2N6487, 2N6490  
V
CEO(sus)  
= 80 Vdc (Min) – 2N6488, 2N6491  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
• High Current Gain — Bandwidth Product  
f = 5.0 MHz (Min) @ I = 1.0 Adc  
POWER TRANSISTORS  
60–80 VOLTS  
T
C
• TO–220AB Compact Package  
75 WATTS  
MAXIMUM RATINGS (1)  
2N6487  
2N6490  
2N6488  
2N6491  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
4
V
CEO  
60  
70  
80  
90  
V
CB  
V
EB  
5.0  
15  
STYLE 1:  
I
C
PIN 1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
I
B
5.0  
1
4. COLLECTOR  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
75  
0.6  
Watts  
2
C
D
3
Derate above 25_C  
W/_C  
CASE 221A–09  
TO–220AB  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
D
1.8  
0.014  
Watts  
A
Derate above 25_C  
W/_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
_C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1.67  
70  
Unit  
_C/W  
_C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
R
θJA  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 10  
2N6487/D  
12345678

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