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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6487G
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2N6487G

更新时间： 2024-11-27 12:31:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 148K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistors 60−80 VOLTS, 75 WATTS

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2N6487G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.79外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5 MHz
Base Number Matches：1

2N6487G 数据手册

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2N6487, 2N6488, (NPN)  
2N6490, 2N6491 (PNP)  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistors  
These devices are designed for use in general−purpose amplifier and  
switching applications.  
http://onsemi.com  
Features  
15 AMPERE  
• DC Current Gain Specified to 15 Amperes −  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60−80 VOLTS, 75 WATTS  
h
= 20−150 @ I = 5.0 Adc  
FE  
C
= 5.0 (Min) @ I = 15 Adc  
C
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
V
= 60 Vdc (Min) − 2N6487, 2N6490  
= 80 Vdc (Min) − 2N6488, 2N6491  
CEO(sus)  
MARKING  
DIAGRAM  
• High Current Gain − Bandwidth Product  
f = 5.0 MHz (Min) @ I = 1.0 Adc  
T
C
• TO−220AB Compact Package  
• Pb−Free Packages are Available*  
4
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Rating  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 1  
2N64xxG  
AYWW  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
2N6487, 2N6490  
2N6488, 2N6491  
60  
80  
1
2
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
Vdc  
CB  
EB  
3
2N6487, 2N6490  
2N6488, 2N6491  
70  
90  
2N64xx = Specific Device Code  
xx  
G
A
Y
WW  
= See Table on Page 5  
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
V
5.0  
15  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector Current − Continuous  
I
C
Base Current  
I
B
5.0  
= Work Week  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
D
75  
0.6  
W
W/°C  
C
Derate above 25_C  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
D
1.8  
0.014  
W
W/°C  
A
Derate above 25_C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking, and shipping information in  
the package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
1.67  
70  
Unit  
_C/W  
_C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JC  
R
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Indicates JEDEC Registered Data.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 14  
2N6487/D  
 
123456

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2N6487G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6487 ONSEMI

完全替代

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