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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 2N6395-AF
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2N6395-AF

更新时间： 2024-11-04 13:00:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
6页 115K
描述
12A, 100V, SCR, TO-220AB

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2N6395-AF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.68
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：15 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：40 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：100 V重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

2N6395-AF 数据手册

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by 2N6394/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Reverse Blocking Triode Thyristors  
Motorola preferred devices  
. . . designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls,  
heating controls and power supplies.  
SCRs  
•
•
•
Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater Parameter  
Uniformity and Stability  
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High  
Heat Dissipation and Durability  
12 AMPERES RMS  
50 thru 800 VOLTS  
Blocking Voltage to 800 Volts  
G
K
A
CASE 221A-07  
(TO-220AB)  
STYLE 3  
*MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
, V  
Value  
Unit  
(1)  
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage  
V
Volts  
DRM RRM  
(Gate Open, T = –40 to 125°C)  
2N6394  
2N6395  
2N6397  
2N6398  
2N6399  
50  
J
100  
400  
600  
800  
RMS On–State Current (T = 90°C) (All Conduction Angles)  
I
12  
Amps  
Amps  
C
T(RMS)  
Peak Non-Repetitive Surge Current  
I
100  
TSM  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, T = 125°C)  
J
2
2
Circuit Fusing (t = 8.3 ms)  
Forward Peak Power  
I t  
40  
20  
0.5  
2
A s  
P
Watts  
Watt  
Amps  
°C  
GM  
Forward Average Gate Power  
Forward Peak Gate Current  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
P
G(AV)  
I
GM  
T
J
–40 to +125  
–40 to +150  
T
°C  
stg  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
R
2
°C/W  
θJC  
1. V  
and V  
for alltypes canbe appliedon a continuous basis. Ratings apply for zeroor negativegate voltage;however, positivegate  
RRM  
DRM  
voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current  
source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1999  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6395-AJ MOTOROLA

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 		12A, 100V, SCR, TO-220AB
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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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