2N6354

更新时间： 2024-01-30 13:42:25

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6354 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	极性/信道类型：	NPN
子类别：	Other Transistors	Base Number Matches：	1

2N6354 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6354

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_{BE sat-1}

V_{BE sat-2}

I_CEO

PARAMETER

Collector-emitter breakdwon voltage

Emitter-base breakdwon voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

120

6.5

TYP.

MAX

UNIT

I_C=0.2A ;I_B=0

I_E=5m A ;I_C=0

I_C=5A ;I_B=0.5A

I_C=10A; I_B=1A

I_C=5A ;I_B=0.5A

I_C=10A; I_B=1A

0.5

1.0

1.3

2.0

V_CE=100V;V_BE=0

T_C=125℃

I_CEV

Collector cut-off current

V_CE=140V; I_B=0

V_CB=150V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

I_CBO

Collector cut-off current

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE-1

DC current gain

I_C=5A ; V_CE=2V

I_C=10A ; V_CE=2V

150

100

h_FE-2

DC current gain

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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