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2N6131

更新时间: 2024-02-02 09:53:12
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6131 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.3
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzBase Number Matches:1

2N6131 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2N6129 2N6130 2N6131  
CHARACTERISTICS  
Tj=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
40  
TYP.  
MAX  
UNIT  
2N6129  
2N6130  
2N6131  
2N6129  
2N6130  
2N6131  
Collector-emitter  
sustaining voltage  
VCEO(SUS)  
IC=0.1A ;IB=0  
V
60  
80  
1.4  
Collector-emitter  
saturation voltage  
VCEsat  
IC=7A;IB=1.2A  
V
1.8  
1.4  
VBE  
Base-emitter on voltage  
IC=2.5A ; VCE=4V  
V
VCE=40V;VBE=1.5V  
TC=150℃  
0.5  
3.0  
2N6129  
2N6130  
2N6131  
mA  
VCE=60V;VBE=1.5V  
TC=150℃  
Collector  
0.5  
3.0  
ICEV  
cut-off current  
VCE=80V; VBE=1.5V  
TC=150℃  
0.5  
3.0  
mA  
mA  
IEBO  
hFE  
fT  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
VEB=5V; IC=0  
1.0  
IC=2.5A ; VCE=4V  
IC=0.2A ; VCE=4V  
20  
100  
Transition frequency  
2.5  
MHz  
2

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