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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6111AF
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2N6111AF

更新时间： 2024-11-28 13:04:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
7A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6111AF 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：2.3
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

2N6111AF 数据手册

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ON Semiconductor)  
PNP  
2N6107  
Complementary Silicon Plastic  
Power Transistors  
*
*
2N6109  
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching  
applications.  
2N6111  
NPN  
• DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes  
h
= 30–150 @ I  
= 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288  
= 2.3 (Min) @ I = 7.0 Adc — All Devices  
FE  
C
2N6288  
C
2N6292  
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
= 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288  
*ON Semiconductor Preferred Device  
V
CEO(sus)  
= 50 Vdc (Min) — 2N6109  
7 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
= 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292  
• High Current Gain — Bandwidth Product  
f = 4.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92  
T
C
C
= 10 MHz (Min) @ I = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11  
30–50–70 VOLTS  
40 WATTS  
• TO–220AB Compact Package  
*MAXIMUM RATINGS  
2N6111  
2N6288  
2N6107  
2N6292  
Rating  
Symbol  
2N6109  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
30  
40  
50  
60  
70  
80  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CEO  
4
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
7.0  
10  
STYLE 1:  
PIN 1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
Base Current  
I
B
3.0  
Adc  
1
4. COLLECTOR  
2
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
D
40  
0.32  
Watts  
C
3
Derate above 25_C  
W/_C  
CASE 221A–09  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
_C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
R
3.125  
_C/W  
θJC  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 5  
2N6107/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6111AJ MOTOROLA

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 		7A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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2N6111D1 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2N6111-DR6259 RENESAS

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2N6111-DR6260 RENESAS

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