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Datasheet > 触发装置 > 可编程单结晶体管> 2N6027G
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2N6027G

更新时间： 2024-11-25 02:57:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体触发装置晶体管可编程单结晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Programmable Unijunction Transistor

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2N6027G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.18
Is Samacsys：N阳极到阴极的最大电压：40 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：150 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-50 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值电流最大值：2 µA峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Programmable Unijunction Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：PROGRAMMABLE UJTValley Current-Min：70 µA
Base Number Matches：1

2N6027G 数据手册

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Preferred Device  
Programmable Unijunction  
Transistor Triggers  
Designed to enable the engineer to “program’’ unijunction  
http://onsemi.com  
characteristics such as R , η, I , and I by merely selecting two  
BB  
V
P
resistor values. Application includes thyristor–trigger, oscillator, pulse  
and timing circuits. These devices may also be used in special thyristor  
applications due to the availability of an anode gate. Supplied in an  
inexpensive TO–92 plastic package for high–volume requirements,  
this package is readily adaptable for use in automatic insertion  
equipment.  
PUTs  
40 VOLTS  
300 mW  
• Programmable — R , η, I and I  
BB  
V
P
G
• Low On–State Voltage — 1.5 Volts Maximum @ I = 50 mA  
A
F
K
• Low Gate to Anode Leakage Current — 10 nA Maximum  
• High Peak Output Voltage — 11 Volts Typical  
• Low Offset Voltage — 0.35 Volt Typical (R = 10 k ohms)  
G
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., 2N6027, Date Code  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
3
*Power Dissipation  
Derate Above 25°C  
P
1/θ  
300  
4.0  
mW  
mW/°C  
F
JA  
*DC Forward Anode Current  
Derate Above 25°C  
I
T
150  
2.67  
mA  
mA/°C  
TO–92 (TO–226AA)  
CASE 029  
STYLE 16  
*DC Gate Current  
I
G
50  
mA  
Repetitive Peak Forward Current  
100 µs Pulse Width, 1% Duty Cycle  
*20 µs Pulse Width, 1% Duty Cycle  
I
Amps  
TRM  
PIN ASSIGNMENT  
Anode  
1.0  
2.0  
1
2
3
Gate  
Non–Repetitive Peak Forward Current  
10 µs Pulse Width  
I
5.0  
Amps  
TSM  
Cathode  
*Gate to Cathode Forward Voltage  
*Gate to Cathode Reverse Voltage  
*Gate to Anode Reverse Voltage  
V
40  
5.0  
40  
40  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
°C  
GKF  
GKR  
GAR  
V
V
ORDERING INFORMATION  
Seedetailedorderingandshippinginformationinthepackage  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
(1)  
*Anode to Cathode Voltage  
V
AK  
Operating Junction Temperature Range  
T
J
–50 to  
+100  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*Storage Temperature Range  
T
stg  
–55 to  
+150  
°C  
*Indicates JEDEC Registered Data  
(1) Anode positive, R  
= 1000 ohms  
GA  
Anode negative, R  
= open  
GA  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
May, 2000 – Rev. 2  
2N6027/D  
12345678

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6027RLRAG ONSEMI

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