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2N6027

更新时间: 2024-01-24 12:02:54
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管可编程单结晶体管PC
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Programmable Unijunction Transistor

2N6027 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.1
配置:SINGLEJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值电流最大值:2 µA
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:PROGRAMMABLE UJT
Valley Current-Min:50 µABase Number Matches:1

2N6027 数据手册

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2N6027, 2N6028  
TYPICAL PEAK CURRENT BEHAVIOR  
2N6027  
100  
50  
10  
5.0  
20  
10  
V = 10 VOLTS  
S
(SEE FIGURE 2)  
3.0  
2.0  
5.0  
2.0  
1.0  
0.5  
R
G
= 10 kΩ  
100 kΩ  
1.0 MΩ  
1.0  
0.5  
R
G
= 10 kΩ  
T = 25°C  
(SEE FIGURE 2)  
A
0.3  
0.2  
100 kΩ  
1.0 MΩ  
0.2  
0.1  
0.1  
5.0  
10  
15  
20  
–50  
–25  
0
+25  
+50  
+75  
+100  
V , SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
S
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
A
Figure 9. Effect of Supply Voltage and R  
Figure 10. Effect of Temperature and R  
G
G
2N6028  
10  
1.0  
0.7  
0.5  
5.0  
R
= 10 kΩ  
G
2.0  
1.0  
V = 10 VOLTS  
S
(SEE FIGURE 2)  
0.3  
0.2  
100 kΩ  
0.5  
0.1  
0.07  
0.05  
R
G
= 10 kΩ  
0.2  
0.1  
1.0 MΩ  
100 kΩ  
0.03  
0.02  
T = 25°C  
(SEE FIGURE 2)  
0.05  
A
1.0 MΩ  
0.02  
0.01  
0.01  
5.0  
10  
15  
20  
–50  
–25  
0
+25  
+50  
+75  
+100  
V , SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)  
S
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
A
Figure 11. Effect of Supply Voltage and R  
Figure 12. Effect of Temperature and R  
G
G
http://onsemi.com  
5

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