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2N5951_D27Z

更新时间： 2024-02-28 02:14:34

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	71K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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2N5951_D27Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.61
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	2 pF	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5951_D27Z 数据手册

Electrical Characteristics* T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Condition

Min. Max. Units

Off Characteristics

V_(BR)GSS

I_GSS

V_GS(off)

V_GS

Gate-Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

I_G= 1.0μA, V_DS= 0

V_GS= 15V, V_DS= 0, T = 25°C

T = 100°C

-30

-1.0

-200

Gate-Source Cut-off Voltage

Gate-Source Forward Voltage

V_DS= 15V, I_D= 100nA

-2

-5

V_DS= 15V, I_D= 700μA

-1.3

-4.5

On Characteristics

*I_DSS

Zero-Gate Voltage Drain Current *

Drain-Source On Resistance

V_DS= 15V, V_GS= 0

RDS(on)

I_D= 400μA, f = 1.0kHz

250

Small Signal Characteristics

goss

Common- Source Output Conductance

V_DS= 15V, V_GS= 0V, f = 1.0kHz

V_DS= 15V, V_GS= 0V, f = 100MHz

μ/Ω

gos

Output Conductance

Input Conductance

100

μ/Ω

gis

V_DS= 15V, V_GS= 0V, f = 100MHz

250

μ/Ω

Ciss

Crss

Input Capacitance

V_DS= 15V, V_GS= 0V, f = 1.0MHz

V_DS= 15V, V_GS= 0V, f = 1.0kHz

Reverse Transfer Capacitance

Equivalent Short-Circuit Input Noise Voltage

100

V_DS= 15V, V_GS= 0V,

R_G= 1.0mΩ, f = 1.0kHz

R_G= 1.0kΩ, f = 100MHz

Noise Figure

* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle = 2%

2N5951 Rev. 1.0.0

www.fairchildsemi.com

123

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