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2N5875

更新时间： 2024-02-27 23:50:48

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5875 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
基于收集器的最大容量：	500 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大上升时间（tr）：	700 ns
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
最大关闭时间（toff）：	1800 ns	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

2N5875 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5875 2N5876

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-60

-80

TYP.

MAX

UNIT

2N5875

2N5876

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=-0.2A ;I_B=0

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BEsat

V_BE

Collector-emitter saturation voltage I_C=-5A;I_B=-0.5A

Collector-emitter saturation voltage I_C=-10A;I_B=-2.5A

-1.0

-3.0

-2.5

-1.5

-0.5

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

I_C=-10A;I_B=-2.5A

I_C=-4A ; V_CE=-4V

V_CB=ratedV_CBO; I_B=0

V_CE=-30V; I_B=0

I_CBO

2N5875

2N5876

I_CEO

Collector cut-off current

-1.0

_CE=-40V; I_B=0

V_CE=ratedV_CE; V_BE=1.5V

T_C=150℃

-0.5

-5.0

I_CEX

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

f_T

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=-5V; I_C=0

-1.0

I_C=-1A ; V_CE=-4V

DC current gain

I_C=-4A ; V_CE=-4V

100

DC current gain

I_C=-10A ; V_CE=-4V

I_C=-0.5A ; V_CE=-10V;f=1MHz

Trainsistion frequency

MHz

123

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