5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 基于收集器的最大容量： | 500 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大上升时间（tr）： | 700 ns |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1800 ns | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5876 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
获取价格 |
|
| 2N5876 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
获取价格 |
|
| 2N5876 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
获取价格 |
|
| 2N5876 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
获取价格 |
|
| 2N5876 | NJSEMI | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
获取价格 |
|
| 2N5876 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
获取价格 |
|
AO3401场效应管参数、引脚图、应用原理图
BT131可控硅参数及引脚图、工作原理详解
74LS32芯片参数、引脚图及功能真值表
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
