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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5876E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5876LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5877 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5877 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5877 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5877 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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| 2N5877 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5877 | ASI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P |
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| 2N5877 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5877 | CENTRAL |
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60V,10A,150W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Swi |
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