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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT |
| 最大通态电流： | 0.25 A | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 光电设备类型： | PHOTO DARLINGTON |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 子类别： | Photo Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5777MOD | ASI |
获取价格 |
SILICON NPN PHOTO DETECTOR |
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| 2N5778 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5779 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5780 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5781 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
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| 2N5781 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N5781 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N5781 | ROCHESTER |
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3500mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
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| 2N5781_06 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
|
| 2N5781LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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