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2N5784LEADFREE PDF预览

2N5784LEADFREE

更新时间： 2024-01-02 16:57:42
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 493K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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2N5784LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.17
最大集电极电流 (IC)：3.5 A集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：4
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1 MHz最大关闭时间（toff）：15000 ns
最大开启时间（吨）：5000 nsBase Number Matches：1

2N5784LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N5784LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N5781 PNP  
2N5784 NPN  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5781 and  
2N5784 types are Complementary Silicon Power  
Transistors designed for general purpose switching and  
amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
V
A
A
W
W
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
V
V
V
V
80  
80  
65  
5.0  
3.5  
1.0  
10  
1.0  
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
I
C
I
B
P
P
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
A
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
17.5  
175  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
stg  
Θ
Θ
JC  
JA  
Thermal Resistance  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
=75V, V =1.5V  
10  
1.0  
10  
1.0  
100  
10  
μA  
CEV  
CEV  
CER  
CER  
CEO  
EBO  
CER  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
BE  
=75V, V =1.5V, T =150°C  
mA  
μA  
mA  
μA  
μA  
V
V
V
V
BE  
C
=65V, R =100Ω  
BE  
=65V, R =100Ω, T =150°C  
BE  
C
=50V  
=5.0V  
BV  
BV  
V
V
h
h
I =10mA, R =100Ω  
80  
65  
C
BE  
I =10mA  
C
I =1.0A, I =100mA  
0.5  
1.5  
150  
C
B
V
=2.0V, I =1.0A  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CC  
CC  
CC  
CC  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=2.0V, I =1.0A  
20  
4.0  
8.0  
1.0  
25  
C
=2.0V, I =3.2A  
FE  
C
f
f
h
t
t
t
t
=2.0V, I =100mA, f=4.0MHz (2N5781)  
60  
4.0  
MHz  
MHz  
T
T
C
=2.0V, I =100mA, f=200kHz (2N5784)  
C
=2.0V, I =100mA, f=1.0kHz  
fe  
on  
on  
off  
off  
C
=30V, I =1.0A, I =I =100mA (2N5781)  
0.5  
5.0  
2.5  
15  
μs  
μs  
μs  
μs  
C
C
B1 B2  
B1 B2  
B1 B2  
=30V, I =1.0A, I =I =100mA (2N5784)  
=30V, I =1.0A, I =I =100mA (2N5781)  
C
=30V, I =1.0A, I =I =100mA (2N5784)  
B1 B2  
C
R1 (25-January 2011)  
12

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