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2N5793

更新时间: 2024-10-01 22:17:35
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CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 71K
描述
NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

2N5793 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-78
包装说明:HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.25
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-78JESD-30 代码:O-MBCY-W8
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:8最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):40 ns最大开启时间(吨):300 ns
Base Number Matches:1

2N5793 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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