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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3.5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5786_02 | SEME-LAB | SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N5786LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| 2N5786PBFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N5793 | MICROSEMI | NPN SILICON DUAL TRANSISTOR |
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| 2N5793 | CENTRAL | NPN SILICON DUAL TRANSISTOR |
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| 2N5793 | MOTOROLA | Transistor |
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