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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5782L | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 |
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| 2N5783 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTATY SILICON POWER TRANSIS0R |
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| 2N5783 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
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| 2N5783 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N5783 | ROCHESTER |
获取价格 |
3500mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
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| 2N5783_11 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5783LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| 2N5783TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), PNP, |
|
| 2N5784 | NJSEMI |
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NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5784 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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