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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | TO-92-18R, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.41 |
| 基于收集器的最大容量： | 10 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5777 | ASI |
获取价格 |
SILICON NPN PHOTO DETECTOR |
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| 2N5777 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5777(MOD.) | ETC |
获取价格 |
PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 250M | TO-92VAR |
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| 2N5777MOD | ASI |
获取价格 |
SILICON NPN PHOTO DETECTOR |
|
| 2N5778 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
|
| 2N5779 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
|
| 2N5780 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5781 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
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| 2N5781 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N5781 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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