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2N5758

更新时间： 2024-02-29 04:15:16

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5758 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

2N5758 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2N5758 2N5759 2N5760

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

100

120

140

TYP.

MAX

UNIT

2N5758

2N5759

2N5760

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(sus)

I_C=0.2A ;I_B=0

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

2N5758

I_C=3A; I_B=0.3A

I_C=6A ;I_B=1.2A

I_C=3A ; V_CE=2V

V_CE=50V; I_B=0

V_CE=60V; I_B=0

V_CE=70V; I_B=0

1.0

2.0

1.5

I_CEO

Collector cut-off current

1.0

2N5759

2N5760

_CE=ratedV_CB; V_BE(off)=1.5V

1.0

5.0

I_CEX

I_CBO

I_EBO

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

T_C=150℃

V_CE=ratedV_CB;I_B=0

1.0

100

V_EB=7V; I_C=0

2N5758

2N5759

2N5760

5.0

h_FE-1

DC current gain

I_C=3A ; V_CE=2V

h_FE-2

C_OB

f_T

DC current gain

I_C=6A ; V_CE=2V

Output capacitance

Transition frequency

I_E=0 ; V_CB=10V;f=0.1MHz

I_C=0.5A ; V_CE=20V

300

1.0

MHz

JMnic

123

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