5秒后页面跳转
2N5758E3 PDF预览

2N5758E3

更新时间: 2024-01-31 07:59:28
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 80K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2

2N5758E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:METAL CAN-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:100 V
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N5758E3 数据手册

  

与2N5758E3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N5759 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N5759 JMNIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N5759 SEME-LAB Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

获取价格

2N5759 APITECH Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2

获取价格

2N5759 SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N5759E3 MICROSEMI Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL

获取价格