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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N5639
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2N5639

更新时间： 2024-11-17 22:49:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
N-Channel Switch

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2N5639 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.11
配置：SINGLE最大漏源导通电阻：60 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：4 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N5639 数据手册

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2N5639  
N-Channel Switch  
•
This device is designed for low level analog switchng, sample and hold  
circuits and chopper stabilized amplifiers.  
•
Sourced from process 51.  
TO-92  
1. Drain 2. Source 3. Gate  
1
Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
V
DG  
GS  
-30  
I
50  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
V
V
V
= 0, I = -10µA  
-30  
V
(BR)GSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
G
I
I
= -15V, V = 0  
-1.0  
1.0  
nA  
nA  
DS  
Drain Cutoff Leakage Current  
= 12V, V = 15V  
GS  
D(off)  
On Characteristics  
I
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
Drain-Source On Resistance  
V
V
= 20V, I = 0  
25  
mA  
DSS  
DS  
GS  
GS  
r
= 0V, I = 1.0mA  
60  
Ω
DS(on)  
D
Small Signal Characteristics  
r
Drain-Source On Resistance  
Input Capacitance  
V
V
V
= V = 0, f = 1.0kHz  
60  
10  
Ω
ds(on)  
DS  
DS  
DS  
GS  
C
C
= 0, V = 12V, f = 1.0MHz  
pF  
pF  
iss  
rss  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
= 0V, V = 12V, f = 1.0MHz  
4.0  
GS  
Switching Characteristics  
t
t
t
t
Trun On Delay Time  
Rise Time  
V
V
R
= 10V, V = 0  
GS(on)  
6.0  
8.0  
10  
ns  
ns  
ns  
ns  
d(on)  
DD  
= -12, I  
= 12mA  
GS(off)  
D(on)  
r
= 50Ω  
G
Trun Off Delay Time  
d(off)  
Fall Time  
20  
f
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 1.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
350  
2.8  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
θJC  
θJA  
°C/W  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2003  
123

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