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2N5551-A-AB3-K

更新时间： 2024-02-04 16:53:58

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描述
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

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2N5551-A-AB3-K 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551-A-AB3-K 数据手册

2N5551

NPN SILICON TRANSISTOR

ꢀ

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

RATINGS

180

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Dissipation

Collector Current

V_CEO

160

V_EBO

TO-92

625

℃

P_C

SOT-89

500

I_C

T_J

600

Junction Temperature

Storage Temperature

+150

-55 ~ +150

T_STG

℃

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ꢀ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified)

PARAMETER

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage BV_CEOI_C=1mA, I_B=0

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

180

160

TYP

MAX

UNIT

BV_CBOI_C=100µA, I_E=0

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

BV_EBOI_E=10µA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE1

h_FE2

h_FE3

V_CB=120V, I_E=0

V_BE=4V,I_C=0

V_CE=5V, I_C=1mA

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CE=5V, I_C=50mA

DC Current Gain(Note)

160

400

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

0.15

0.2

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

V_CE(SAT)

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

V_BE(SAT)

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

V_CE=10V, I_C=10mA, f=100MHz

V_CB=10V, I_E=0 f=1MHz

I_C=0.25mA, V_CE=5V

R_S=1kΩ, f=10Hz ~ 15.7kHz

100

300

6.0

MHz

C_ob

Noise Figure

Note: Pulse test: PW<300µs, Duty cycle<2%

ꢀ

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

80-170

150-240

200-400

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2 of 4

QW-R201-002.B

www.unisonic.com.tw

123 4

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