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2N5416CSM4

更新时间： 2024-01-29 11:45:14

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SEME-LAB		晶体晶体管局域网
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2页	20K
描述
PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

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2N5416CSM4 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.11
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	MO-041BA
JESD-30 代码：	R-CDSO-N4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2N5416CSM4 数据手册

2N5415CSM4

2N5416CSM4

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max. Unit

= -175V

= -280V

= -150V

= -4V

2N5415

2N5416

-50

Collector Cut Off Current (V =0)

CBO

CEO

EBO

-50

-20

Emitter Cut Off Current (I =0)

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

Emitter Cut Off Current (I =0)

= -6V

I = -10mA

-200

-300

-350

Collector Emitter on Voltage(I =0)

CEO(sus)*

I = -10mA

I = -50mA

=50

Collector Emitter Breakdown Voltage

Collector Base Breakdown Voltage

Base-Emitter Voltage

CER(sus)*

CE(sat)

BE*

I = -50mA I =-5mA

-0.5

-1.5

150

120

I = -50mA

= -10V

I = -50mA

=-10V 2N5415

=-10V 2N5416

= -10V

—

DC Current Gain

FE*

I = -50mA

I = -5mA

Small Signal Current Gain

Collector-Base Capacitance

Transition Frequency

f = 1KHz

I = 0

= -10V

cbo

f = 1MHz

I = -10mA

MHz

f = 5MHz

*Pulsed: duration = 300 s, duty cycle 1.5%

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 02/00

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