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2N5238SE3 PDF预览

2N5238SE3

更新时间： 2024-12-01 20:55:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 170V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

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2N5238SE3 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：170 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-205ADJESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N5238SE3 数据手册

 浏览型号2N5238SE3的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/394  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N4150  
2N4150S  
2N5237  
2N5237S  
2N5238  
2N5238S  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N4150  
2N5237  
2N5238  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Unit  
2N4150S 2N5237S 2N5238S  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
70  
120  
150  
10  
170  
200  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
100  
Collector Current  
10  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C (1)  
@ TC = +25°C (2)  
1.0  
15  
PT  
W
Operating & Storage Junction Temperature Range  
Tj , Tstg  
-65 to +200  
°C  
TO-5  
Thermal Resistance, Junction-to Case  
Junction- to Ambient  
RθJC  
RθJA  
10  
175  
°C/W  
2N4150, 2N5237, 2N5238  
1) Derate linearly @ 5.7mW/°C for TA > +25°C  
2) Derate linearly @ 100mW/°C for TC > +25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 0.1mAdc  
70  
120  
170  
2N4150, 2N4150S  
2N5237, 2N5237S  
2N5238, 2N5238S  
V(BR)CEO  
Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VBE = 0.5Vdc, VCE = 60Vdc  
VBE = 0.5Vdc, VCE = 110Vdc  
10  
10  
10  
2N4150, 2N4150S  
2N5237, 2N5237S  
2N5238, 2N5238S  
ICEX  
µAdc  
VBE = 0.5Vdc, VCE = 160Vdc  
TO-39  
(TO-205AD)  
2N4150S, 2N5237S, 2N5238S  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 60Vdc  
2N4150, 2N4150S  
2N5237, 2N5237S  
2N5238, 2N5238S  
10  
10  
10  
ICEO  
µAdc  
µAdc  
VCE = 110Vdc  
VCE = 160Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 7.0Vdc  
10  
0.1  
IEBO  
VEB = 5.0Vdc  
T4-LDS-0014 Rev. 4 (082192)  
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