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2N5245

更新时间： 2024-09-12 22:45:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体射频放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
N-Channel RF Amplifier

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2N5245 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.78
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

2N5245 数据手册

 浏览型号2N5245的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5245的Datasheet PDF文件第3页 
2N5245  
N-Channel RF Amplifier  
•
This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications  
where process 50is not adequate. Sufficient gain and low noise for  
sensitive receivers.  
•
Sourced from process 90.  
TO-92  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
V
DG  
GS  
-30  
I
10  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
J
STG  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-30  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
I
= 1.0µA, V = 0  
V
nA  
V
(BR)GSS  
GSS  
G
DS  
I
V
V
= 25V, V = 0  
-1.0  
-0.6  
GS  
DS  
DS  
V
Gate-Source Cutoff Voltage  
= 15V, I = 1.0nA  
-1.0  
5
GS(off)  
D
On Characteristics  
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
Small Signal Characteristics  
I
V
= 15V, V = 0  
15  
mA  
DSS  
DS  
GS  
gfs  
Forward Transferconductance  
V
V
= 0V, V = 15V, f = 1.0kHz  
4500  
11000  
50  
µmhos  
µmhos  
GS  
GS  
DS  
goss  
Common- Source Output Conductance  
= 0V, V = 15V, f = 1.0kHz  
DS  
* Pulse Test: Pulse ≤ 300µs  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
P
Total Device Dissipation  
350  
2.8  
D
Derate above 25°C  
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
θJC  
θJA  
°C/W  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, January 2004  
123

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