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2N5151L

更新时间： 2024-02-01 21:26:56

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2页	49K
描述
Type 2N5151L Geometry 9702 Polarity PNP

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2N5151L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.06
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2N5151L 数据手册

Data Sheet No. 2N5151L

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N5151L

Type 2N5151L

Geometry 9702

Polarity PNP

Qual Level: JAN - JANS

REF: MIL-PRF-19500/545

Features:

Silicon power transistor for use in

high speed switching applications.

Housed in a TO-5 case.

Also available in chip form using

the 9702 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/545 which

Semicoa meets in all cases.

TO-5

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

5.5

Collector Current, Continuous

Collector Current, P_W< 8.3 ms, < 1% duty cycle

I_C

Reverse Pulse Energy

Power Disipation T_A= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

1.0

5.7

Watt

P_T

T_J

mW/^oC

^oC

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

^oC

T_STG

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5151L_02	SEMICOA	获取价格	Silicon PNP Transistor
2N5151LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO
2N5151S	ETC	获取价格	PNP
2N5151SMD05	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SMT
2N5151U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5152	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5152	SEMICOA	获取价格	Type 2N5152 Geometry 9201 Polarity NPN