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2N5152

更新时间： 2024-01-04 00:47:47

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描述
Type 2N5152 Geometry 9201 Polarity NPN

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2N5152 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-276AB
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

2N5152 数据手册

Data Sheet No. 2N5152

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N5152

Type 2N5152

Geometry 9201

Polarity NPN

REF: MIL-PRF-19500/544

Qual Level: JAN - JANS

Features:

Silicon power transistor for use in

high speed switching applications.

Housed in a TO-39 case.

Also available in chip form using

the 9201 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/544 which

Semicoa meets in all cases.

TO-39

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

5.5

Collector Current, Continuous

Collector Current, P_W< 8.3 ms, < 1% duty cycle

I_C

Reverse Pulse Energy

Power Disipation T_A= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

1.0

5.7

Watt

P_T

T_J

mW/^oC

^oC

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

^oC

T_STG

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2N5152A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-39
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