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2N5152L

更新时间： 2024-09-23 22:45:03

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描述
Type 2N5152L Geometry 9201 Polarity NPN

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2N5152L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	1500 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
Base Number Matches：	1

2N5152L 数据手册

Data Sheet No. 2N5152L

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N5152L

Type 2N5152L

Geometry 9201

Polarity NPN

Qual Level: JAN - JANS

REF: MIL-PRF-19500/544

Features:

Silicon power transistor for use in

high speed switching applications.

Housed in a TO-5 case.

Also available in chip form using

the 9201 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/544 which

Semicoa meets in all cases.

TO-5

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

5.5

Collector Current, Continuous

Collector Current, P_W< 8.3 ms, < 1% duty cycle

I_C

Reverse Pulse Energy

Power Disipation T_A= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

1.0

5.7

Watt

P_T

T_J

mW/^oC

^oC

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

^oC

T_STG

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