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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5105 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE AMPS |
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| 2N5105 | INTERFET |
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N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N5106 | NJSEMI |
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SI NPN LP HF BJT |
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| 2N5108 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT |
|
| 2N5108 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| 2N5108 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2N5108A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-39 |
|
| 2N5109 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5109 | NJSEMI |
获取价格 |
COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE |
|
| 2N5109 | SEMICOA |
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Type 2N5109 Geometry 1007 Polarity NPN |
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