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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N5089
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2N5089

更新时间： 2024-11-28 22:45:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 153K
描述
Amplifier Transistor(NPN Silicon)

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ON Semiconductort  
Amplifier Transistors  
NPN Silicon  
2N5088  
2N5089  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
2N5088 2N5089  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
30  
35  
25  
30  
Vdc  
3.0  
50  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
1
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 29–11, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
COLLECTOR  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
2
(1)  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
BASE  
R
83.3  
qJC  
1
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(2)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
2N5088  
2N5089  
30  
25  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CBO  
2N5088  
2N5089  
35  
30  
—
—
C
E
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 20 Vdc, I = 0)  
2N5088  
2N5089  
—
—
50  
50  
E
= 15 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
I
EBO  
(V  
EB(off)  
(V  
EB(off)  
= 3.0 Vdc, I = 0)  
—
—
50  
100  
C
= 4.5 Vdc, I = 0)  
C
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
θJA  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 1  
2N5088/D  
12345678

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2N5089 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MMBT3904LT1G ONSEMI

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MMBT3906LT1G ONSEMI

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2N5089/D10Z-18 TI

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 		25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
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 		100mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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