5秒后页面跳转
2N4999E3 PDF预览

2N4999E3

更新时间: 2024-10-02 05:55:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 84K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin,

2N4999E3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.44外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:80 V
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:PNP
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON

2N4999E3 数据手册

  

与2N4999E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N499A ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-1
2N-4F APITECH

获取价格

Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
2N-4M APITECH

获取价格

Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
2N-5 APITECH

获取价格

Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
2N50 UTC

获取价格

2A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET
2N-50 APITECH

获取价格

Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
2N50_1109 UTC

获取价格

2A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET
2N5000 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-210AA
2N5001 NJSEMI

获取价格

30 WATT PNP POWER TRANSISTOR
2N5001 APITECH

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 4