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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.86 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.65 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4996/92 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2N4997 | NJSEMI |
获取价格 |
N-P-N SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N4997 | TI |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2N4998 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT |
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| 2N4998E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
|
| 2N4999 | NJSEMI |
获取价格 |
DISCRETE EMITTER GEOMETRY |
|
| 2N4999E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| 2N499A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-1 |
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| 2N-4F | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N-4M | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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