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2N4922

更新时间： 2024-01-20 09:29:14
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 110K
描述
1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS

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2N4922 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：100 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

2N4922 数据手册

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2N4921 thru 2N4923  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (3)  
(I = 0.1 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
2N4921  
2N4922  
2N4923  
40  
60  
80  
—
—
—
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
mAdc  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 20 Vdc, I = 0)  
2N4921  
2N4922  
2N4923  
—
—
—
0.5  
0.5  
0.5  
B
= 30 Vdc, I = 0)  
B
= 40 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
= Rated V  
= Rated V  
, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc, T = 125_C  
—
—
0.1  
0.5  
CEO EB(off)  
, V  
CEO EB(off)  
C
Collector Cutoff Current  
(V = Rated V , I = 0)  
I
—
0.1  
mAdc  
mAdc  
CBO  
CB CB  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
—
1.0  
EB  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (3)  
h
FE  
—
(I = 50 mAdc, V  
= 1.0 Vdc)  
= 1.0 Vdc)  
CE  
= 1.0 Vdc)  
40  
30  
10  
—
150  
—
C
CE  
(I = 500 mAdc, V  
C
(I = 1.0 Adc, V  
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage (3)  
V
—
—
—
0.6  
1.3  
1.3  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
(I = 1.0 Adc, I = 0.1 Adc)  
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage (3)  
(I = 1.0 Adc, I = 0.1 Adc)  
V
BE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage (3)  
(I = 1.0 Adc, V = 1.0 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (I = 250 mAdc, V  
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
f
T
3.0  
—
—
100  
—
MHz  
pF  
C
CE  
Output Capacitance (V  
= 10 Vdc, I = 0, f = 100 kHz)  
C
CB  
E
ob  
Small–Signal Current Gain (I = 250 mAdc, V  
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
25  
—
C
CE  
(3) Pulse Test: PW ≈ 300 µs, Duty Cycle ≈ 2.0%.  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
APPROX  
+11 V  
TURN-ON PULSE  
5.0  
V
= 30 V  
I /I = 10, UNLESS NOTED  
C B  
CC  
I /I = 20  
t
1
V
CC  
3.0  
2.0  
T = 25°C  
C B  
R
C
J
V
in  
T = 150°C  
J
V
CC  
= 60 V  
V
in  
R
B
V
1.0  
BE(off)  
C Ă<<ĂC  
jd  
eb  
0.7  
0.5  
t
t
r
3
-ā4.0 V  
t ≤ 15 ns  
V
CC  
= 30 V  
APPROX  
+11 V  
SCOPE  
0.3  
0.2  
t
d
1
V
= 60 V  
CC  
100 < t ≤ 500 µs  
2
V
= 2.0 V  
BE(off)  
V
in  
t ≤ 15 ns  
3
0.1  
0.07  
0.05  
V
= 30 V  
= 0  
BE(off)  
APPROX 9.0 V  
CC  
DUTY CYCLE ≈ 2.0%  
V
t
2
TURN-OFF PULSE  
R
and R varied to  
C
B
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
500 700 1000  
obtain desired  
current levels  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
http://onsemi.com  
3
12345678

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