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2N4410RL1

更新时间： 2024-11-24 14:49:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 150K
描述
250mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

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2N4410RL1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.39Is Samacsys：N
其他特性：EUROPEAN PART NUMBER最大集电极电流 (IC)：0.25 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

2N4410RL1 数据手册

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ON Semiconductort  
Amplifier Transistor  
NPN Silicon  
2N4410  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
120  
5.0  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
V
EBO  
Vdc  
1
Collector Current — Continuous  
I
C
250  
mAdc  
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 29–11, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
COLLECTOR  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
2
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
BASE  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
JC  
R
q
83.3  
1
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
80  
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 500 µAdc, V = 5.0 Vdc, R = 8.2 k ohms)  
V
120  
120  
5.0  
(BR)CEX  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
BE  
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
V
V
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 100 Vdc, I = 0)  
I
µAdc  
CBO  
EBO  
—
—
0.01  
1.0  
CB  
E
(V = 100 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
CB  
E
A
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
I
—
0.1  
µAdc  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
50  
Publication Order Number:  
June, 2001 – Rev. 11  
2N4410/D  
12345

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