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2N4416

更新时间： 2024-02-15 14:43:32
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 69K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N4416 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-72
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.04
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.015 AFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：1 pF最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：4 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

2N4416 数据手册

  
B-14  
01/99  
2N4416, 2N4416A  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Mixers  
¥ VHF Amplifiers  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
Gate Current  
2N4416  
– 30 V  
10 mA  
300 mW  
2 mW°C  
2N4416A  
– 35 V  
10 mA  
300 mW  
2 mW/°C  
Continuous Device Dissipation  
Power Derating  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Gate Source Breakdown Voltage  
2N4416  
2N4416A  
Process NJ26  
Min Max Min Max Unit  
Test Conditions  
V
– 30  
– 35  
V
– 0.1 nA  
– 0.1 µA  
I = – 1µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
– 0.1  
– 0.1  
V
= – 20V, V = ØV  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 20V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 6 – 2.5 – 6  
15 15  
V
V
= 15V, I = 1 nA  
GS(OFF)  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
5
5
mA  
V
= 15V, V = ØV  
DSS  
DS  
GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
4500 7500 4500 7500 µS  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 kHz  
Common Source  
Forward Transconductance  
DS  
GS  
g
g
fs  
4000  
4000  
µS  
µS  
µS  
V
= 15V, V = ØV  
f = 400 MHz  
f = 1 kHz  
DS  
GS  
50  
75  
100  
4
50  
75  
V
= 15V, V = ØV  
DS  
GS  
Common Source  
Output Conductance  
V
= 15V, V = ØV  
f = 100 MHz  
f = 400 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
os  
DS  
GS  
100 µS  
V
= 15V, V = ØV  
DS  
GS  
Common Source Input Capacitance  
Common Source Output Capacitance  
C
4
2
pF  
pF  
V
= 15V, V = ØV  
iss  
DS  
GS  
C
2
V
= 15V, V = ØV  
oss  
DS  
GS  
Common Source  
Reverse Transfer Capacitance  
C
0.8  
0.8  
pF  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS  
GS  
100  
1000  
2500  
10000  
1000  
4000  
100 µS  
1000 µS  
2500 µS  
10000 µS  
1000 µS  
4000 µS  
dB  
V
= 15V, V = ØV  
f = 100 MHz  
f = 400 MHz  
f = 100 MHz  
f = 400 MHz  
f = 100 MHz  
f = 400 MHz  
f = 100 MHz  
f = 400 MHz  
f = 100 MHz  
f = 400 MHz  
Common Source  
Input Conductance  
DS  
GS  
g
b
b
is  
V
= 15V, V = ØV  
DS  
GS  
V
= 15V, V = ØV  
Common Source  
Input Susceptance  
DS  
GS  
is  
V
= 15V, V = ØV  
DS  
GS  
V
= 15V, V = ØV  
Common Source  
Output Susceptance  
DS  
GS  
os  
V
= 15V, V = ØV  
DS  
GS  
18  
10  
18  
10  
V
= 15V, I = 5mA  
Common Source  
Power Gain  
DS  
D
G
ps  
dB  
V
= 15V, I = 5mA  
DS  
D
2
4
2
4
dB  
dB  
V
= 15V, I = 5mA  
DS  
D
Noise Figure  
NF  
R = 1kΩ  
G
TOÐ72 Package  
See Section G for Outline Dimensions  
Surface Mount  
SMP4416, SMP4416A  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case  
Note: rf parameters guaranteed, but not 100% tested.  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
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