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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N4403G
2N4403G PDF预览

2N4403G

更新时间： 2024-02-29 02:01:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 107K
描述
General Purpose Transistors

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2N4403G 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：8.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

2N4403G 数据手册

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2N4403  
Preferred Device  
General Purpose  
Transistors  
PNP Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available*  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
2
BASE  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Total Device Dissipation  
V
CEO  
V
CBO  
1
40  
Vdc  
EMITTER  
V
EBO  
5.0  
Vdc  
I
C
600  
mAdc  
P
D
D
MARKING  
DIAGRAM  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
1
2
Total Device Dissipation  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
2N  
4403  
YWW  
1.5  
12  
W
mW/°C  
C
3
TO−92  
CASE 29  
STYLE 1  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
Maximumratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
200  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
83.3  
°C/W  
Preferred devices are recommended choices for future  
use and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference  
Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 1  
2N4403/D  
12345678

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2N4403G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N4403RLG ONSEMI

类似代替

 600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PI
2N4403RLRAG ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors
2N4403BU FAIRCHILD

功能相似

 PNP General Purpose Amplifier

与2N4403G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4403IUTA TAITRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2N4403J05Z FAIRCHILD

获取价格

 		600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 3 PIN
2N4403J18Z FAIRCHILD

获取价格

 		600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 3 PIN
2N4403-J25Z TI

获取价格

 		40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4403-J61Z TI

获取价格

 		40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N4403K DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S
2N4403L DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S
2N4403L-T92-B PANJIT

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 		PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N4403L-T92-B UTC

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 		PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N4403L-T92-K UTC

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