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2N4399

更新时间： 2024-01-06 10:30:09

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4页	84K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS

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技术参数
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2N4399 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最大降落时间（tf）：	600 ns
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	5 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大上升时间（tr）：	400 ns	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

2N4399 数据手册

PNP 2N4398 – 2N4399 – 2N5745

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CEO(BR)

Ratings

Test Condition(s)

Min

Typ MAx Unit

2N4398

-40

-60

-80

Collector-Emitter

Breakdown Voltage (*) I_B= 0

I_C= -200 mA

2N4399

2N5745

2N4398

_CB= -40 V, I_E= 0

Collector Cutoff

Current

I_CBO

V_CB= -60 V, I_E= 0

2N4399

-1

V_CB= -80 V, I_E= 0

V_CE= -40 V, I_B= 0

V_CE= -60 V, I_B= 0

V_CE= -80 V, I_B= 0

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

Collector Cutoff

Current

I_CEO

-5

I_EBO

Emitter Cutoff Current V_EB= -5 V, I_C= 0

V_CE= -40 V, V_BE= 1.5 V 2N4398

V_CE= -40 V, V_BE= 1.5 V 2N4399

V_CE= -40 V, V_BE= 1.5 V 2N5745

Collector Cutoff

Current

V_CE= -40 V, V_BE= 1.5 V

T_C= 150°C

2N4398

I_CEX

V_CE= -40 V, V_BE= 1.5 V

T_C= 150°C

V_CE= -40 V, V_BE= 1.5 V

T_C= 150°C

2N4399

-10

2N5745

2N4398

-0.75

I_C= -10 A, I_B= -1 A

2N4399

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

2N4398

2N4399

2N4398

2N4399

-1

I_C= -15 A, I_B= -1.5 A

Collector-Emitter

saturation Voltage (*)

V_CE(SAT)

-1.5

I_C= -20 A, I_B= -2 A

I_C= -20 A, I_B= -4 A

I_C= -30 A, I_B= -6 A

-2

-4

-1.6

I_C= -10 A, I_B= -1 A

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

-1.7

-1.85

-2

Base-Emitter

saturation Voltage (*)

V_BE(SAT)

I_C= -15 A, I_B= -1.5 A

I_C= -20 A, I_B= -2 A

I_C= -20 A, I_B= -4 A

-2.5

2 | 4

24/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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