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2N4399

更新时间： 2024-02-18 15:05:51

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页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS

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2N4399 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最大降落时间（tf）：	600 ns
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	5 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大上升时间（tr）：	400 ns	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

2N4399 数据手册

PNP 2N4398 – 2N4399 – 2N5745

SILICON POWER TRANSISTORS

They are PNP transistors mounted in Jedec TO-3 package.

They are intended for use in power amplifier and switching circuits applications.

Complement to NPN 2N5301 – 2N5302 – 2N5303.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

2N4398

2N4399

2N5745

2N4398

2N4399

2N5745

-40

-60

-80

-40

-60

-80

-5

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2N4398

2N4399

2N5745

-30

-20

-7.5

I_CM

I_B

Collector Peak Current

Base Current

I_BM

P_TOT

T_J

Base Peak Current

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

200

@ T_C= 25°

°C

T_S

-65 to +200

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJ-C

R_thJ-A

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

0.875

°C/W

1 | 4

24/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

12 3 4

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与2N4399相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N4399LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
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2N43A	ETC	alloy-junction germanium transistors	获取价格
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