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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-66 |
| 包装说明： | TO-66, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-66 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4298PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| 2N4299 | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN POWER BJT |
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| 2N4299 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N4299 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N4299TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N4300 | SSDI |
获取价格 |
2 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS |
|
| 2N4300 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N4301 | TI |
获取价格 |
10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
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| 2N4301 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-61 |
|
| 2N4302 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | TO-106 |
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